富士通半导体推全新序列存储器产品阵容

香港商富士通半导体有限公司台湾分公司宣布成功开发全新FRAM产品MB85RC1MT，拥有1Mb记忆体(128K字元x 8位元)，是所有富士通半导体I2C序列介面产品中最高记忆体容量的产品，即日起可为客户提供样品。

MB85RC1MT保证有10兆次写入／删除(write/erase)周期，适用于需要经常重复写入资料之应用，例如工厂自动化、测试仪器及工业设备所需之即时资料登录应用。现在富士通半导体同时拥有广泛的I2C与SPI序列介面产品系列，为客户提供最符合他们要求的非挥发性记忆体产品。

此产品适用于工厂自动化控管、测验仪器及工业设备。

FRAM是一种兼具非挥发性与随机存取功能的记忆体，能在没有电源的情况下可储存及高速写入资料。值得注意的是，在众多非挥发性记忆体技术中，FRAM能保证1兆次以上的写入／删除周期。富士通半导体自1999年开始量产FRAM产品以来，已将上述产品特性广泛应用在工厂自动化设备、测试仪器、金融终端机及医疗装置等领域。

MB85RC1MT可在摄氏零下40度至85度的温度范围以1.8至3.3伏特工作电压运作，可支援「高速」操作频率模式，并可在传统EEPROM相同的3.4MHz及1MHz环境进行读写资料作业。MB85RC1MT保证有10兆次写入／删除周期，大幅超越传统EEPROM之写入／删除周期次数，并可支援I2C介面及其他介面产品之即时资料登录等频繁的重复写入资料作业。

此外，EEPROM和微控制器等已采用其他I2C介面产品的应用，现在都可以新款的FRAM产品取而代之，可透过高频率资料登录实现高精度资料撷取，并能够降低资料写入作业所需的功耗。

MB85RC1MT产品阵容可搭载I2C介面(支援4 Kb至1 Mb记忆体容量)或SPI介面(16 Kb至2 Mb记忆体容量)，大幅增加了富士通半导体的FRAM产品阵容。这些FRAM系列产品采用业界标准的8针脚SOP封装，因而可取代EEPROM或序列快闪记忆体，并适用于工厂自动化、测试仪器及工业设备等应用，更无须大幅修改电路版的设计。

富士通半导体将持续开发FRAM产品以满足客户对低功耗产品之需求，例如需求日益增加的能量采集应用，其中低工作电压是关键要素。

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